40 nanométeres technológiával gyárt memóriát a Samsung

Milkovits Gábor, 2009. február 5. 21:14

A Samsung bejelentette, hogy a világon elsőként 40 nanométeres eljárással sikerült DRAM memóriát gyártania, ami sok szempontból újabb áttörést jelenthet az ágazatban.

A DRAM modulokon található áramkör-egységek további miniatürizációja azzal jár, hogy a csipek azonos teljesítmény mellett kevesebb energiát fogyasztanak és kevesebb hőt is bocsátanak ki. A technológia emellett felgyorsíthatja az átmenetet a DDR3-ról a DDR4 SDRAM-ra, mint csúcsszabványra – ezt nagy általánosságban egyébként 2012-re várják.

A Samsung egyelőre egy 1 GB-os DDR2 prototípust mutatott be, amely azonban már kompatibilis az Intel GM45 Express noteszgép-lapkakészletével. A 40 nm-es, 2 GB-os DDR3 modult szintén még az idén tervezi bemutatni a Samsung. Jelenleg a DRAM memóriacsipek többnyire 50 nm-es technológiával készülnek, azonban már ezek is gyakran akár 40 százalékkal energiatakarékosabbak, mint elődeik.

Kulcsszavak: Samsung memória tudomány

Kapcsolódó cikkek

További kapcsolódó cikkek...

Hardver ROVAT TOVÁBBI HÍREI

A Thermaltake bemutatja a The Tower 300 mikro toronyházat

A Thermaltake, a prémium PC-hardvermegoldások vezető márkája bejelentette a The Tower 300 mikro toronyházat. A The Tower sorozat az egyik legnépszerűbb termékcsalád, ami az ikonikus függőleges toronyház-kialakításáról ismert. Most egy új mikro-ATX házzal egészült ki – a The Tower 300-zal – egészült ki a sorozat, jellegzetes nyolcszögletű megjelenéssel, és lehetővé téve a hagyományos függőleges és az egyedi vízszintes elhelyezést.

2024. május 13. 16:04